Forum - Halbleitertechnik: Dioden, Transistoren und Operationsverstärker

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Elektronik & Elektrotechnik - Fragen und Antworten » Halbleitertechnik: Dioden, Transistoren und Operationsverstärker - Teil 1-3

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#1 | Halbleitertechnik: Dioden, Transistoren und Operationsverstärker - Teil 1-3 datum

19.03.2025 08:39

Halbleitertechnik: Dioden & Transistoren - Teil 1

Die Halbleiterdiode

Die Halbleiterdiode bzw. Diode ist das Grundbauelement in der Halbleitertechnik. Sie besteht aus einer P- und einer N-Halbleiterschicht. Die Schichten sind in einem Gehäuse miteinander verbunden und mit Anschlüssen versehen. Das Besondere an einer Diode ist, dass sie den Strom in einer Richtung durchlässt und in der anderen Richtung blockiert.

Die Katode einer Diode ist auf dem Gehäuse mit einem Strich versehen (Bild 2).

Durchlass- und Sperrrichtung:

In Durchlassrichtung liegt die Anode am Pluspol der Spannungsquelle, der Strom kann fließen und die Lampe leuchtet.
In Sperrrichtung liegt die Kathode am Pluspol der Spannungsquelle, der Strom kann nicht mehr fließen und die Lampe ist dunkel.

Schwellspannung:

Die Schwellspannung gibt an, ab welcher Spannung eine Halbleiterdiode in Durchlassrichtung leitend wird. Eine Diode in Durchlassrichtung ist nicht immer leitend, sondern erst ab einer bestimmten Schwellspannung. Dabei ist unwichtig, in welchem Spannungsbereich sich eine Diode befindet. Die Anode der Diode muss in Durchlassrichtung nur um die Schwellspannung positiver sein als die Kathode. Die Schwellspannung ist abhängig vom Halbleitermaterial und entspricht nur einem ungefähren Wert. Schwellspannungen gelten nicht nur für Halbleiterdioden, sondern auch für Transistoren. Hier gibt es auch einen PN-Übergang.

Germanium ~ 0,3V / Silizium ~ 0,7V Alt: Selen~ 0,6V / Kupferoxydul ~ 0,2V

Durchbruch- oder Sperrspannung

Die Durchbruchspannung bezieht sich auf einer Silizium-Diode, die in Sperrrichtung geschaltet ist. Der Sperrstrom ist sehr klein. Ab einer bestimmten Sperrspannung kommt es zum Zenerdurchbruch (Durchbruchspannung). Dabei steigt der Strom schlagartig an. Wird dieser Strom nicht begrenzt, zerstört sich die Diode.

Mögliche Anwendungen:

Mit einer Diode kann man den Strom in einer bestimmten Richtung blockieren.
Verpolungsschutz.
Spannungen können mir Zenerdiodn begrenzt werden, so dass ein Bauteil nicht durch Überspannung zerstört werden kann.
Zur Umwandlung von Wechselspannung in Gleichspannung (Gleichrichtung).
Zur Spannungsstabilisierung (mit Zenerdioden).

Übersicht Halbleiterdioden:

Typ	Gehäuse	U_R/V	I_F/mA	I_R/µA
1 N 4001	DO-7	50	1000	10
1 N 4002	DO-7	100	1000	10
1 N 4003	DO-7	200	1000	10
1 N 4004	DO-7	400	1000	10
1 N 4005	DO-7	600	1000	10
1 N 4006	DO-7	800	1000	10
1 N 4007	DO-7	1000	1000	10
1 N 4148	DO-35	75	200	0,025
BAT 85	DO-34	30	300	2
BAX 12	DO-35	90	800	0,1

Sonderformen vonDioden:

Leuchtdiode, LED (Light Emitting Diode).
Fotodiode (Lichteinstrahlung verändert die Sperrspannung).
Tuneldiode (Hochfrequenz-Halbleiterbauelement).
Schottky-Diode (Schnelle Dioden - Schaltnetzteile).
Suppressordiode (Schutz von empfindlichen Bauteilen und Signaleingängen).

Brückengleichrichter:

Der Brückengleichrichter besteht aus vier Gleichrichterdioden in Brückenschaltung.
Er kann zu Gleichrichtung von Netz-Wechselspannungen (230V) genutzt werden und nennt sich dann auch Netzgleichrichter oder Netzbrückengleichrichter.

Spannungen am Brückengleichrichter:

Normale Multimeter messen den Effektivwert (auch Wärmewert) einer Wechselspannung.
Unsere Netzwechselspannung: 230V (UEff)
US: Spitzenspannung einer Halbwelle (UEff x 1,414) = 230V x 1,414 = 325,22V
USS: Spitze Spitze Wert der Wechselspannung(2 x UEff x 1,414 ) = 2 x 230V x 1,414 = 650,44V

Frage 1:Welche Aufgabe hat der Kondensator C1?

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Z-Dioden (Zener-Dioden / Avalanche-Dioden):

Z-Dioden eignen sich am besten zur Spannungsstabilisierung in Schaltungen mit kleinem Stromverbrauch oder auch als Spannungsbegrenzung von Spannungsspitzen.
Sie werden auch als Sollwertgeber in der Mess-und Regeltechnik eingesetzt oder wo Bezugsspannungen benötigt werden.
In Durchlassrichtung verhält sich eine Z-Diode wie eine herkömmlicheHalbleiterdiode. In Sperrrichtung beginnt ab einer genau definierten Spannung der Durchbruchbereich. Z-Dioden werden immer in Sperrrichtung betrieben!

Bezeichnung von Z-Dioden:

Bezeichnung	Alternativen	P_tot	Gehäuse
ZPD...	BZX83... / BZY88... / BZX55... / ZX71... / BZX79...	500 mW	DO35
ZPY...	BZX 29... / BZX 85... / BZY 92.. / BZY 95... / BZY 96... / BZX 97... / ZD...	1,3 W	DO41

Spannungsverdopplerschaltung:

Die Gleichrichterdiode D1 erzeugt eine pulsierende Gleichspannung aus der positiven Halbwelle, die Gleichrichterdiode D2 aus der negativen Halbwelle, der Eingangswechselspannung.
Die beiden Lastkondensatoren werden abwechselnd, fast auf den Scheitelwert, der Wechselspannung aufgeladen. Durch ihre Zusammenschaltung entsteht ein doppelter Scheitelwert.

Die bipolaren Transistoren

Ein bipolarer Transistor ist ein Halbleiterbauelement besteht typischerweise aus Silizium oder aus Germanium.
Die Bezeichnung Transistor ist aus seiner Funktion abgeleitet. Bei einer Widerstandsänderung in einer Halbleiterschicht, wird auch der Widerstand in der anderen Schicht beeinflusst. Aus "Transferresistor" wurde die Bezeichnung Transistor.
Transistoren werden überwiegend als Schalter oder Verstärker eingesetzt.
Bipolare Transistoren bestehen aus zwei PN-Übergängen und damit insgesamt aus drei unterschiedlich dotierten Schichten desselben Grundmaterials. Man unterscheidet zwischen PNP-Transistoren und NPN-Transistoren.
Die drei unterschiedlich dotierten Schichten der Bipolartransistoren heißen Emitter (E), Basis (B) und Kollektor (C).

Eigenschaften des bipolaren NPN-Transistors

Der Kollektorstrom I_C fließt nur, wenn auch ein Basisstrom I_B fließt. Wird der Basisstrom I_B verändert, dann verändert sich auch der Kollektorstrom I_C. Innerhalb des Transistors wirkt die Basisstromänderung wie eine Widerstandsänderung. Der Transistor wirkt bei einer Basisstromänderung wie ein elektrisch gesteuerter Widerstand.
Der Kollektorstrom I_C ist um ein Vielfaches von 20 bis 10000 mal größer als der Basisstrom I_B. Dieser Größenunterschied kommt von der Aufteilung desElektronenflusses von Kollektor (C) und Basis (B). Diesen Größenunterschied nennt man Stromverstärkung B. Er lässt sich aus dem Verhältnis I_Czu I_Bberechnen.
Der Basisstrom I_B fließt erst dann, wenn die Schwellspannung U_BE an der Basis-Emitter-Strecke erreicht ist. Der Schwellwert ist abhängig vomHalbleitermaterial. Üblicherweise nimmt man Silizium-Transistoren, mit einem Schwellwert von 0,6 bis 0,7 V. Es gibt auch Germanium-Transistoren mit einem Schwellwert von 0,3 V.
Mittels einer Hilfsspannung U_BE kann der Schwellwert vorab eingestellt werden. Dieses Vorgehen wird als Arbeitspunkteinstellung bezeichnet. Um diese eingestellte Spannung kann nun der Basisstrom den Kollektorstrom steuern.
Wenn kein Basisstrom I_B fließt, dann sperrt der Transistor. Sein Widerstand in derKollektor-Emitter-Strecke ist unendlich groß. Die Spannung am Kollektor-Emitterist sehr groß. Fließt ein Basisstrom, dann wird der Transistor leitend. Sein Widerstand ist kleiner geworden. Damit ist auch die Spannung am Kollektor-Emitter kleiner. Genauer betrachtet führt eine Zunahme am Eingang(Basis) zu einer Abnahme am Ausgang (Kollektor-Emitter). Man nennt das auch invertierendes Verhalten. Diese Eigenschaft ist das Schaltverhalten des bipolaren Transistors und wird in der Elektronik sehr häufig angewendet (Transistor als Schalter).
Wenn die Spannung U_CE kleiner ist als die Spannung U_BE, dann befindet sich der bipolare Transistor in der Sättigung oder im Sättigungsbetrieb. Das passiert dann, wenn der Transistor durch den Basisstrom überflutet wird. Der Basisstrom ist dann so groß, dass die maximale Stromverstärkung schon längst erreicht ist und der Kollektorstrom nicht mehr weiter steigt.
Generell hat das keine negativen Auswirkungen, solange der maximale Basisstrom nicht überschritten wird. Wenn doch, dann wird der Transistor zerstört.
Allerdings hat der Sättigungsbetrieb negative Auswirkungen auf das Schaltverhalten eines Transistors. Bei einem schnellen Schaltvorgang, wenn die Kollektor-Emitter-Spannung U_CE schnell wechseln muss. Dann muss der Transistor erst von der Ladungsträgerüberflutung freigeräumt werden. Das dauert länger, als wenn nur wenige Ladungsträger über die Basis abfließen. Diese Verzögerungmacht sich bei hohen Schaltfrequenzen negativ bemerkbar. Dann sollte der Sättigungsbetrieb vermieden werden.
Der bipolare Transistor vereint zwei Stromkreise in sich. Der Stromkreis mit der SpannungU_BE wird als Steuerstromkreis bezeichnet. Der Stromkreis mit der Spannung U_CE wird als Arbeits- oder Laststromkreis bezeichnet.

Typ	NPN/PNP	Gehäuse	P_tot/W	U_CE/V	I_C/A	B (ß)	f_G/MHz
BC 107 B	NPN	TO-18	0,3	45	0,1	200-450	300
BC 140-6	NPN	TO-39	3,7	40	1	40-100	50
BC 140-10	NPN	TO-39	3,7	40	1	63-160	50
BC 140-16	NPN	TO-39	3,7	40	1	100-250	50
BC 547 A	NPN	SOT-54	0,5	45	0,1	110-220	300
BC 547 B	NPN	SOT-54	0,5	45	0,1	200-450	300
BC 547 C	NPN	SOT-54	0,5	45	0,1	420-800	300
BC 557 A	PNP	SOT-54	0,5	45	0,1	125-250	150
2 N 3055	NPN	TO-3	115	60	15	20-70	0,8

Grundschaltungen des Transistors

Emitterschaltung:

Die Emitterschaltung ist eine Universal-Verstärkerschaltung, die im niederfrequenten Bereich (NF) zur Erzeugung sehr hoher Spannungsverstärkungen genutzt wird. Doch bei hohen Frequenzen macht sich die Frequenzabhängigkeit der Schaltung bemerkbar. Steigt die Frequenz, sinkt die Verstärkung. Aus diesem Grund wird die Emitterschaltung nur mit kleiner Spannungsverstärkung betrieben. Weil der Transistor temperaturabhängig ist und sich der Arbeitspunkt mit der Temperatur verändert, wird die Emitterschaltung mit Arbeitspunktstabilisierung durch Stromgegenkopplung betrieben.
Die Emitterschaltung wird gerne auch zur Ansteuerung von Gegentakt-Endstufen verwendet.

Kollektorschaltung(Emitterverfolger):

Die Kollektorschaltung zeichnet sich durch einen sehr große Eingangswiderstand und einen sehr kleine Ausgangswiderstand aus. Daher eignetsich diese Schaltung bestens als Impedanzwandler.

Basisschaltung:

Wegen der sehr starken Stromgegenkopplung kann die Basisschaltung bei hohen Frequenzen (HF) als Spannungs- und Leistungsverstärker eingesetzt werden.
Eine andere Anwendung ist das Erzeugen von Sinusschwingungen mit hoher Frequenz.

Übersicht: Die Schaltungen im Vergleich

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#2 | Halbleitertechnik: Transistor als Schalter datum

21.09.2025 05:36

Halbleitertechnik: Transistor als Schalter - Teil 2

Transistor als Schalter

Erhält der Transistor (NPN) eine positive Basisspannung U_BE, so fließt ein Basisstrom und der Transistor schaltet durch.
Die RCE-Strecke ist niederohmig und es fließt ein Kollektorstrom.
Es fällt eine sehr geringe Spannung U_CE am Transistor ab.
Der Transistor leitet aus Sicht des Stroms. Für die Wirkungsweise bedeutet das, der Schalter ist geschlossen.
Im leitenden Zustand wirkt der Transistor wie ein sehr niederohmiger Widerstand. Da der Widerstand R_C in diesem Fall einen höheren Widerstand hat als der leitende Transistor, fällt der größte Teil der Betriebsspannung am Widerstand R_C ab.
Der Basisstrom muss relativ hoch sein, um den Transistor gut durchzuschalten, um ihn in seine Sättigung zu bringen.

Freilaufdiode bei induktiven Lasten

Die Freilaufdiode wird parallel zum Relais oder der induktiven Last geschaltet, da beim sperrenden Transistor eine hohe Induktionsspannung erzeugt wird.
Die Diode fungiert hier als Schutzdiode. Die Diode schließt die Induktionsspannung kurz und begrenzt sie auf den Wert der Durchflussspannung.
Nachteil dieser Methode ist allerdings eine erhöhte Abfallverzögerung des Relais.

Halbleiterrelais

Halbleiterrelais (SSR, auch Solid-State-Relais genannt) sind keine mechanischen Relais, sondern elektronische Bauelemente, die ohne bewegte Kontakte schalten.
Halbleiterrelais werden mit Transistoren oder Thyristoren, beziehungsweise Triacs realisiert. Sie sind sehr langlebig, für hohe Schalthäufigkeit und ungünstige Umweltbedingungen (Feuchtigkeit, aggressive oder explosive Gase) geeignet.
Auch sie weisen eine galvanische Trennung auf, die durch Optokoppler realisiert werden kann!

Bild mit Lupenfunktion

1. Welche Funktion erfüllt die Schaltung?

1. Motor befüllt den Behälter:

Das Wasser ist im Behälter abgesunken, der erste Transistor sperrt, der zweite Transistor leitet und steuert durch!
Das Relais kann anziehen und schaltet den Pumpen-Motor ein.
Der Pumpen-Motor läuft so lange, bis das Wasser die Stäbe erreicht hat.
Transistor 1 leitet, Transistor 2 sperrt und das Relais fällt ab.
Der Pumpen-Motor wird ausgeschaltet sobald beide Stäbe im Wasser sind und leiten!

2. Motor pumpt den Behälter leer

Hier muss die Schaltung umgebaut werden!
Der Transistor 1 muss an beide langen Stäbe, der Motor an den Ruhe-Kontakt des Relais geschaltet werden!
Das Wasser ist im Behälter ist gestiegen, Transistor 1 leitet, der Transistor 2 sperrt!
Das Relais fällt ab und schaltet den Pumpen-Motor über den Ruhekontakt ein.
Der Pumpen-Motor läuft so lange, bis das Wasser die Stäbe nicht mehr erreicht.

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2. Wofür ist die Diode 1N 4002 da?

Die Diode ist eine Freilaufdiode und schützt den Transistor vor induktive Spannungsspitzen!

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3. Um was für Transistoren handelt es sich (PNP oder NPN)?

Es handelt sich um NPN-Transitoren

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4. Was macht die LED?

Die LED wird nicht geschaltet und hängt direkt an der Stromversorgung.
Die LED hat die Funktion einer Betriebsspannungsüberwachung!

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5. Wie groß müsste der Widerstand sein, bei einer LED 2,5V / 20mA

Formel:

R = U: I / Einheiten: Ω, V, A

R = U_R : I

U_R = U_{Betriebsspannung} - U_LED

R = (U_{Betriebsspannung} - U_LED) : I

R = (9V - 2,5V) : 0,02A = 325 Ω

Gewählt aus Widerstandsreihe E-12/E-24:

330 Ω

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#3 | Halbleitertechnik: Operationsverstärker datum

21.09.2025 16:48

Halbleitertechnik: Operationsverstärker

Operationsverstärker bestehen aus vielen Transistoren und können eine Verstärkung von 10000 bis 1000000 aufweisen.
Das reicht aus, um kleinste Spannungen und Ströme zu verstärken und schalten!
Der Operationsverstärker kann eingesetzt werden als Schalter, als Differenzverstärker, als Audioverstärker, als Impedanzwandler, als Komparator (Schmidt-Trigger) oder Spannungsregler.
Man kann mit ihm auch zwei Spannungen subtrahieren.
Und vieles mehr...

Einfacher Operationsverstärker mit Transistoren:

Nichtinvertierender Verstärker:

Frage:Wie groß ist die Ausgangsspannung Ua, wenn Ue=100mV, R1=1000 Ohm und R2=100 kOhm betragen?

Verstärkung: v = 1 + 100000:1000 = 101

Ausgangsspannung: Ua = 0,1V (1 + 100000:1000) = 10,1V

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Spannungs-Komparator mit und ohne Hysterese (Schmidt-Trigger):

Frage:Wie groß ist die Ausgangsspannung Ua, wenn U1=1V, U2=2V und die Betriebsspannung +/- Ub=12V betragen?

Der Komperator schaltet am Ausgang zwischen Ua = +12V und Ua = -12V!
Da die Spannung am Plus-Eingang des OP's überwiegt, schaltet er nach Ua = +12V.

Über den Widerstand R3 kann die Hysterese-Spannung eingestellt werden!
z.B.: R2 = 1000Ohm, R3 = 100000Ohm, Delta-Ua = 24V (+/- 12V)

U_Hy = 1000:101000 x 24V = 0,238V
Das heist, das die Spannung U2 um U_Hy : 2 = 0,119V größer sein muss als die Spannung U1, damit der OP nach Ua = +12V schalten kann!

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Astabiler Multivibrator mit dem Operationsverstärker:

Frage:Mit welcher Frequenz läuft der Astabiler Multivibrator?

R2 + R3 = 1kOhm, C1 = 1uF

R1 = 1kOhm x 1kOhm : 2kOhm = 0,5kOhm

T = 2 x 500 Ω x 1x10^-6F x lg(3)

T = 1000 Ω x 1x10^-6F x lg(3)

T = 0,001s x 1,0986123 = 0,001099s

f = 1/T = 910Hz

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Summierverstärker:

R1 = R2

Frage:Wie hoch ist die Ausgangsspannung Ua

R1, R2, R3 = 1kOhm
Ue1, Ue2 = 1V

Ua = -1000Ω x (0,001A + 0,001A) = -2V
Da der OP invertiert, ist die Ausgangsspannung negativ (Rechenergebnis stimmt: 1V+1V=2V)!

Wird der Widerstand R3 auf 5kOhm erhöht, steigt die Spannung auf Ua = -10V!

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Impedanzwandler:

Hoher Eingangswiderstand
Kleiner Ausgangswiderstand!
Verstärkungsfaktor = 1

Kipper-Spedition findet das Top!

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#4 | RE: Halbleitertechnik: Operationsverstärker datum

23.09.2025 20:02

RE: Halbleitertechnik: Operationsverstärker

Schön! Vor 45 Jahren in der sozialistischen "AG Elektronik" gab es solche Ausarbeitungen nicht.

Wolfgang, hast du da was in der Richtung Ausbildung vor?

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#5 | Elektronik & Elektrotechnik - Plattform für Ideen & Inspirationen datum

24.09.2025 07:59

Elektronik & Elektrotechnik - Plattform für Ideen & Inspirationen

Beitrag verschoben: Plattform für Ideen & Inspirationen: Elektronik & Elektrotechnik

VG
Wolfgang

Dankeschön findet das Top!

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#6 | RE: Elektronik & Elektrotechnik - Plattform für Ideen & Inspirationen datum

24.09.2025 17:26

Man muss sich dafür interessieren und die Zeit ~~haben~~ sich nehmen. Voraussetzung ist natürlich ein klein wenig Masse zwischen den Augen und der hinteren Schädeldecke...

Für Reparaturen an Haushaltsgeräten hole ich mir gern Inspirationen auf YouTube. Da ist mir schon einiges gelungen (Rasierapparat, Geschirrspüler), anderes hab ich letztendlich zur Elektronikannahme gebracht.
Aber ans Eingemachte (Löten, wechseln von Bauteilen) habe ich mich noch nicht gewagt.

Mal schauen was du mir bzw. uns noch so alles bei- und näher bringst.

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